آشنایی بیشتر با حافظه RAM و ماژول های حافظه ای

به منظور اینکه حافظه به صورت پویا اطلاعات خود را نگهداری نماید، می بایست پردازنده یاکنترل کننده حافظه

قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار « یک » باشند.

بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجدداً اطلاعات را بازنویسی مینماید.

عملیات فوق (Refresh) هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.

علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات به صورت پویا

خواهند بود. فرآیند تکراری « بازخوانی / بازنویسی اطلاعات » در این نوع حافظه ها باعث می شود که

زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه بر روی یک تراشه سیلیکون و به صورت آرایه ای مشتمل از ستونها خطوط بیت و سطرها

(خطوط کلمات) تشکیل میگردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است.

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون ،

خواهند شد. در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به

آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن ،Sense-Amplifier سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری

می نماید. در صورتی که سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار « یک » خوانده شده و در غیراین

صورت مقدار (صفر) خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و (بر حسب نانوثانیه

یک میلیاردم ثانیه) اندازه گیری میگردد.تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است،

70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتی که از روش هایی به منظور اخذ اطلاعات موجود در سلول ها استفاده ننمایند.

آشنایی بیشتر با حافظه RAM و ماژول های حافظه ای