انرژی جنبشی موجود در مواد

انرژی جنبشی موجود در مواد

عامل محدود کننده ای برای الکترونیک پوشیدنی و سنسورهای بی سیم مقدار محدودی از انرژی است

که می تواند در باتری های داخلی ذخیره شود. در حال حاضر شایع ترین راه برای تغییر یا شارژ باتری ها

اغلب ضروری است، اما این استراتژی نه عملی و نه اقتصادی است. برای مثال، جایگزینی یا

شارژ کردن باتریهای مورد استفاده در سنسورهای بیسیم راه دور که در مکان های دور و یا دشوار برای

دسترسی به محیط زیست قرار دارند، نیاز به تکنسین های واجد شرایط برای دستیابی به سنسورها دارند.

این امر می تواند هزینه های نگهداری را به میزان قابل توجهی افزایش دهد.

برداشت انرژی بالقوه می تواند یک مفهوم استراتژیک توانمند برای تجهیزات بی سیم الکترونیکی مدرن باشد.

چندین روش امکان برداشت انرژی از محیط زیست را با استفاده از روش هایی که به خواص مواد چند منظوره

مناسب متکی هستند، می دهد. به عنوان مثال، مواد مغناطیسی یا پیزوالکتریک روابط پایه ای دارند که

مستقیما متغیرهای مکانیکی و / یا حرارتی را به متغیرهای الکتریکی یا مغناطیسی متصل می کنند.

این مقاله فیزیک، مهندسی و کاربرد انرژی برداشت را با استفاده از مواد مغناطیس سنجی مورد بحث

قرار می دهد. این دستگاه ها مفهومی ساده هستند، زیرا خصوصیات آنها عمدتا براساس خواص مواد است.

در نتیجه عملکرد دستگاه می تواند بر اساس ویژگی های بهینه شده بهبود یافته باشد.

خصوصیات مواد مغناظیسی:

مواد مغناطیسی (یا به طور کلی مواد مغناطیسی) دارای خصوصیات خاصی برای نشان دادن اتصال غیر قابل

ملاحظه بین متغیرهای مکانیکی ماکروسکوپی، استرس σ و فشار ε و میدان مغناطیسی H و القاء B.2،3 است.

این اتصال برای اهداف عملیاتی مورد بهره برداری قرار می گیرد با استفاده از یک میدان مغناطیسی مناسب برای

به دست آوردن کشش ماکروسکوپی، به نام مغناطیسی شناخته شده است. اثر مغناطیس سنجی توسط چندین

مواد معمول از جمله آهن و نیکل نمایش داده می شود، اما اثر ماکروسکوپی آن به ترتیب به حدود

12 ppm و -50 ppm محدود می شود. مغناطیس مثبت مثبت نشان دهنده طول کشیدن است؛ در حالی که مغناطیسی

منفی نشان دهنده انقباض است. آلیاژهای مانند ترفنول (آلیاژ آهن تربیومدیز پروسیوم)،

5،6 گالفنول (آلیاژ گالیم آهن)، 7 و آلفنول (آلومینیوم آلیاژ آهن) 8، مغناطیس سنجی غول پیکر با

انحنای تا 2000 ppm را نشان می دهد. اطلاعات بیشتر در مورد مواد مغناطیسی را می توان در مرجع 2 یافت.

اتصال مغناطیسی نیز می تواند در معکوس مورد سوء استفاده قرار گیرد و سپس به عنوان

اثر “ویلی” 4 یا اثر مغناطیسی معکوس شناخته می شود.